На цьому тижні Samsung оголосила, що освоїла серійне виробництво 8-гігабітних мікросхем пам’яті типу DDR4 (Double-Data-Rate-4) DRAM з використанням техпроцесу «10-нм класу». Як пише CNET, дана пам’ять є головним претендентом на застосування в iPhone наступного покоління, які будуть представлені восени цього року.
Мікросхем пам’яті перехід на більш досконалі технологічні процеси потрібен для того ж, для чого і центральних процесорів: зниження собівартості виробництва і енергоспоживання, підвищення щільності і швидкодії. Samsung застосовує технологію 10-нанометрового класу при виробництві чіпів DDR4 ємністю 8 Гбіт. На їх основі будуть випускатися енергоефективні модулі оперативної пам’яті, що підтримують високу швидкість передачі інформації (заявлені 3200 Мбіт / с).
Треба сказати, що формулювання техпроцесу «10-нм класу» має на увазі, що Samsung може використовувати як 10-нм техпроцес, так і 19-нм техпроцес – номінально, вони відносяться до одного «розряду». За деякими неофіційними даними, використовувався 18-нм техпроцес.
Samsung визнає, що прогрес зажадав від компанії подолання деяких технічних бар’єрів. Наприклад, в умовах відсутності обладнання для літографії з сверхжёсткім ультрафіолетовим випромінюванням (EUV), довелося вдосконалювати наявні методи. Погружная літографія із застосуванням аргонового лазера, чотириразове використання шаблонів і напилення надтонкого шару діелектрика – ось які нововведення Samsung вдалося застосувати при випуску мікросхем DDR4 за технологією «10-нм класу».
У підсумку, що випускається пам’ять не тільки збільшила швидкість з DDR4-2400 до DDR4-3200, а й знизила рівень енергоспоживання на 10-20% в порівнянні з аналогічними мікросхемами «20-нм покоління».
Samsung є єдиним постачальником оперативної пам’яті для iPhone 6s і iPhone 6s Plus, в якій реалізована технологія 20-нанометрового класу.
