Технологічний гігант Intel об’єднав свої зусилля з компанією Micron, відомої завдяки виробництву чіпів пам’яті NAND і DRAM. Разом компанії планують значно збільшити обсяги доступних на ринку твердотільних накопичувачів ( SSD ). Спеціально для цього була розроблена особлива технологія 3D NAND, що дозволяє зберігати на одній мікросхемі до 32 ГБ (256 Гбіт) даних в режимі MLC і до 48 ГБ (384 Гбіт) даних в режимі TLC.
Тут слід згадати, що означають ці не всім знайомі абревіатури. Твердотільні накопичувачі сьогодні можна умовно розділити на три категорії: SLC – одношарові комірки пам’яті (кожен транзистор з плаваючим затвором зберігає всього 1 біт інформації), MLC – багатошарові комірки пам’яті (2 біта на транзистор) і TLC – тришарові комірки пам’яті (3 біта на транзистор ). Ви повинні розуміти, що накопичувач тим дорожче, чим більше число шарів використовується для зберігання інформації. Технологія TLC поки ще мало поширена у світі, але поступово вона замінить своїх попередників, як це зазвичай трапляється у світі комп’ютерних комплектуючих.
Збільшення щільності зберігання даних зменшує розміри мікросхем, що автоматично веде і до збільшення обсягу твердотільних накопичувачів. Intel і Micron стверджують, що вже зовсім скоро вони зможуть представити світу 2,5-дюймовий накопичувач об’ємом до 10 терабайт. Існуючі на сьогоднішній день твердотільні накопичувачі мають максимальний обсяг 1-1,5 терабайта. Зменшені твердотільні накопичувачі для ультрабуків, за словами Intel, будуть розміром менше пластинки жувальної гумки, але при цьому зможуть вміщати до 3,5 терабайт даних. SSD для ультрабуків на сьогоднішній день, як правило, не перевищують позначки в 512 гігабайт.
Пам’ять, створена за технологією 3D NAND, вже довела свою працездатність і ефективність.Мікросхеми об’ємом 256 Гбіт пройшли всі необхідні тести, а чіпи об’ємом 384 Гбіт почнуть тестувати ближче до кінця весни 2015 року. Обидві версії пам’яті мають надійти у виробництво до кінця поточного року і з’явитися у вигляді накопичувачів на прилавках магазинів вже на початку 2016.
