Ємність флеш-пам’яті можна подвоїти

0
Ємність флеш-пам'яті можна подвоїти

Пристрій, який було розроблено в Університеті Хоккайдо, дозволяє вдвічі збільшити місткість накопичувачів USB-флеш завдяки використанню не тільки електричних, але й магнітних сигналів.

При створенні цього накопичувача вчені досліджували два різновиди оксиду кобальту стронцію з різним вмістом кисню: одне немагнітний ізолятор, а інше – магнітний метал. Змінюючи вміст кисню в такому поєднанні японські фізики ініціювали перехід між цими двома станами.

Знайдене ними рішення на відміну від відомих раніше методів, не вимагає високотемпературної обробки і герметизації пристрої для запобігання витоку небезпечної лужного розчину. Нанесення поверх оксиду кобальту стронцію тонкої плівки танталата натрію дозволило електрохімічної окислювально-відновної реакції протікати при кімнатній температурі і в повітряному середовищі.

При впливі напругою 3 В (в сім разів менше, ніж потрібно в сьогоднішніх USB-накопичувачах), діелектрична форма SrCoO 2.5 оборотно переходила в металеву SrCoO 3 приблизно за три секунди. Для порівняння, сучасним флеш-накопичувачів для запису інформації потрібно 0,01 с.На думку авторів статті в Advanced Electronic Materials, зменшення розмірів пристрою допоможе в подальшому скоротити це відставання.

Джерело

Попередня статтяБританці навчилися розпізнавати брехню у чатах
Наступна статтяУ цивільній авіації можуть з’явитися гіперзвукові літаки

НАПИСАТИ ВІДПОВІДЬ

Будь ласка, введіть свій коментар!
Будь ласка, введіть своє ім'я тут